Galaxy S6 Edgeの各種ベンチマークスコアとスペック情報が新たにリーク

Phone Arenaは10日(現地時間)、韓国サムスンによって3月1日に発表される見込みの次期フラッグシップモデル「Galaxy S6 Edge」の、各種ベンチマークスコアとスペック情報が新たにリークされたことを伝えています。

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こちらは今回リークされたGeekBenchのスコア。この「SM-G925P」というモデルナンバーは、Galaxy S6 Edgeに与えられたものであることをPhone Arenaは指摘。また、搭載されるExynos 7420の記録した「5,077」というマルチコア性能のスコアは、iPad Air 2に搭載されるA8Xチップをも上回り、あらゆるSoCの中でも最も高いスコアとなるとのこと。

なお、先日リークされたExynos 7420の性能を示すベンチマークスコア(過去記事)を見るにつけ、おそらく今回のスコアもCortex A53コアの性能を計測したものと推察されます。

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先日リークされたExynos 7420のCortex A53のスコア。ベンチマークのバージョンが今回のものとやや異なる

また今回、時を同じくしてAnTuTuベンチマーク上に登録されたGalaxy S6 Edge(SM-G925W8)のスペックとベンチマークスコアも新たに発見されました。判明したスペックは以下の通り。

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OS Android 5.0.2 Lollipop
ディスプレイ 5.1インチ WQHD(2560×1440)ディスプレイ
SoC Samsung 2.1GHz駆動 オクタコア Exynos 7420
GPU Mali-T760
RAM 3GB
内蔵メモリ 32GB
メインカメラ 2,000万画素
フロントカメラ 500万画素

概ね、これまでに伝えられてきた情報と合致します。なお、Phone Arenaが伝えるところによると、今回SM-G925W8が記録したAnTuTuベンチマークの総合スコアは「60,978」とのことですが、やはりこちらも今まで記録された中で最も高い数値となります。

また以下は、Exynos 5433とExynos 7420とのベンチマークスコアを比較したもの。全般的に後者のスコアの方が上回っていますが、特に3D性能においてはその差が顕著に現れています。

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WQHDディスプレイを搭載しているにもかかわらず、大幅な3D性能スコアの向上を実現

サムスン最新の14nm FinFETプロセスを用いて製造されているだけあってか、やはりExynos 7420はかなりの高性能なチップに仕上げられている模様。2015年のフラッグシップモデルを名乗るにふさわしい端末としての登場に期待が持てそうです。

[Phone Arena [1][2]]

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