10nm プロセスは、2017年の早い段階で登場へ ―米Intel幹部

WCCFTechは5日(日本時間)、米Intelの次世代半導体プロセスとなる「10nmプロセス」は、2017年前半にも正式にリリースされる計画であることが、同社幹部より新たに明言されたことを伝えています。

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今回の発言は、Intelの中東・北アフリカ地域を統括する幹部であるタハ・カリファ氏によるもの。どうやら、これまで半導体の製造プロセスにおいてライバル達に大きく先んじてきたIntelでしたが、とうとう追いつかれてしまうことになりそうです。

既にサムスンやGlobalFoundriesの14nm FinFETプロセスは登場を目前に控えており、またTSMCの16nm FinFETプロセスも、今年後半ないし2016年中には出荷が開始される見込みです。

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なお、10nmプロセスを採用した次世代アーキテクチャとしては「Cannonlake」の名が既に伝えられていますが、今年後半の登場が計画されている「Skylake」の ”シュリンク版” となるとのこと。アーキテクチャと製造プロセスが新たに一新されるには、2018年以降のこととなりそうです。

さて、計画通りに事が進めば、おそらくまた2017年にはライバル達を引き離すことに成功するのでしょうが、半導体プロセスの微細化における技術的な難易度の向上にともない、Intelがかつてほどの優位を保ち続けるのも、もはや限界を迎えつつあるのかもしれません。

[WCCFTech]

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