Intelとサムスン、「半導体プロセスの未来」に関して意見を異にする ―ISSCC 2015

WCCFtechは25日(現地時間)、現在サンフランシスコで開催中の世界最大の半導体に関する国際会議ISSCC 2015において、現在のシリコンをベースにした半導体プロセスの微細化技術がほぼ限界を迎えつつあることが、米インテルによって明らかにされたことを伝えています。

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公開された最新の微細化ロードマップ。10nm以降の登場時期は不明瞭に

これまでは、少なくとも7nmプロセス世代までは、現行の微細化技術を用いて製造することが可能であるとの見方が支配的でした。しかし今回インテルは、ISSCC 2015の会場において、7nmプロセス以降の半導体製造には ”シリコンに変わる新素材” を含む新たな製造技術が必要となるとの見解を明らかにしたとのこと。

なお、2020年までにはその新技術が確立される見込みとのことですが、10nm FinFETプロセスが2017年に計画されていることを鑑みるに(過去記事)、妥当なタイミングと言えそうです。

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しかし一方で興味深いのは、同じくISSCC 2015において韓国サムスンが「5nmプロセス世代までは現行技術で問題なく製造できる」との見解を発表したことです。さらには、3.25nmプロセスを製造できる可能性すらも示唆されたことを、Phone Arenaは伝えています。

現時点ではどちらの主張が正しいのかを知る術はありませんが、その製造技術の詳細よりも、「半導体プロセスとしての最終的な性能」の方に興味を惹かれる人の方が多いようにも思えます。真偽の程はどうであれ、まず間違いないのは ”いずれは技術革新が必要である” ということでしょうか。

[WCCFtech / Phone Arena]

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