韓国サムスン、「10nm FinFETプロセス」を2017年頃に計画 ―ISSCC 2015

Phone Arenaは24日(現地時間)、韓国サムスンが、現在サンフランシスコで開催中の世界最大の半導体に関するイベントISSCC 2015において、約2年後に「10nm FinFETプロセス」の提供を開始する計画を明らかにしたと伝えています。

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既に先日、昨年末には「14nm FinFETプロセス」製のシリコンウェハの大量生産を開始したことを正式に発表していますが(過去記事)、いかに半導体製造において破竹の勢いを見せるサムスンと言えど、更なる ”世代交代” には2年ほどの時間を要する模様です。

今から約2年後と言うと、「Galaxy S8」や「iPhone 7s」世代の機種において、この次世代プロセスを採用したモバイルSoCにお目にかかることになりそうです。あるいは、現在進行形でその分野での存在感を増し続けるDRAMやNANDフラッシュメモリにおいても、いずれ採用されることになるものと思われます。

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Intelの半導体プロセスのロードマップ

なお、ここ数年の間、半導体製造において頭一つ抜け出していた米Intelも、10m FinFETプロセスを採用したチップを登場させるのは「2017年」に入ってからとなることを明言しています(過去記事)。

どうやらサムスンは、ついに10nm世代において、”世界で最も進んだプロセスを保有する企業” として、Intelと肩を並べることになりそうです。

[Phone Arena]

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