サムスン、「UFS 2.0」準拠の超高速フラッシュメモリを正式発表 ―最大128GB

韓国サムスンは26日(現地時間)、「UFS 2.0」に準拠した新開発のスマートフォン向けフラッシュストレージの大量生産を開始したことを正式に発表しました。

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UFS 2.0とは、メモリーカード規格の一つである「UFS」(ユニバーサル・フラッシュ・ストレージ)の最新規格。今現在スマートフォンの内蔵メモリにおける主流規格となっている「eMMC」を置き換える次世代メモリ規格として注目されており、先日にはこの新型ストレージの登場を指摘する情報も伝えられていました(過去記事)。

今回発表された新型フラッシュストレージにおいては、新たに「コマンドキューイング」に対応したことで、CPUが処理しやすいように ”入力された命令(コマンド)を並び替える” ことが可能になり、マルチタスク処理時のパフォーマンスを引き上げることに成功しています。

また、ランダム読み込みと書き込み性能は、それぞれ「19,000IOPS」と「14,000IOPS」。従来のハイエンド級デバイスに一般的な、eMMC 5.0準拠の内蔵メモリと比較しても大幅な性能向上を実現しているとのこと。なお上記の数値は、一般的な高性能microSDカードと比較すると、前者では12倍、後者においては28倍に匹敵します。(IOPSについては「こちら」

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さらに、シーケンシャル読み込みと書き込みの性能に関しても、従来モデルから「50%」の消費電力を削減しつつも、”SSD並み” のパフォーマンスを実現していることが明らかにされました。ちなみに、「128GBモデル」、「64GBモデル」、「32GBモデル」の計3モデルがラインナップされるとのこと。

さて、先日にはeMMC規格における最新規格「eMMC 5.1」に準拠する新型フラッシュストレージが発表されたばかりでしたが(過去記事)、早くもパフォーマンスと容量の双方を上回る製品が発表される形となりました。

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※今回発表されたメモリではありません

なお、今回のプレスリリースの言葉を鵜呑みにするならば、おそらくこのUFS 2.0メモリはフラッグシップ級以上の端末に、eMMC 5.1準拠のメモリはミッドレンジ級以下の端末に搭載されることになる見込みですが、この発表のタイミングを鑑みるに、「Galaxy S6」や「Galaxy S Dual Edge」に搭載される可能性に期待しても良いかもしれません。

それにしてもSoCからRAM、内蔵メモリに至るまで、次世代フラッグシップモデルは、サムスンの威信をかけた仕上がりになりそうです。

[Samsung Tomorrow via Phone Arena]

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