台湾TSMC、「10nm FinFET」プロセスの大量生産を2017年後半にも開始へ

WCCFtechは5日(現地時間)、台湾TSMCによる「10nm FinFETプロセス」の大量生産の開始時期が、2017年後半から2018年前半に計画されていることが明らかにされたと伝えています。

記事29.1

半導体製造業においてTSMCのライバルとなる米Intelと韓国サムスンも、既に10nm FinFETプロセスを2017年内にも提供し始める計画を公式に明言しています(過去記事[1][2])。どうやらIntelが堅持しようと懸命に努めてきた ”半導体プロセスの微細化におけるアドバンテージ” も、10nm世代においていよいよ失われることになりそうです。

とは言うものの、実際にはIntel以外のファウンダリの製造する14/16nmプロセスは、20nmプロセスの配線層を流用しているため、実質的にはIntelの半導体プロセスの方が ”より高度な技術” が用いられているとも言えます。なお、この差が10nm世代でも保たれるのかは、現時点では判然としません。

微細化の難易度が跳ね上がりつつある昨今の状況や、20nm世代や14/16nm世代での各社の苦戦ぶりなどを勘案するに、各社一様に予定通りに計画を進められるかについては疑問が残ります。次世代の半導体業界の覇権争いは、ますます興味深いものとなりそうです。

[WCCFtech]

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