16nm FinFET+プロセス、28nm HPと比較して最大「40%」の性能向上を実現へ

WCCFtechは15日(現地時間)、台湾TSMCが数カ月以内にも大量生産を開始する見込みの次世代半導体製造プロセス「16nm FinFET+」は、「28nm HP」プロセスから大幅な性能向上を実現することが明らかにされたことを伝えています。

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伝えられるところによると、16nm FinFET+プロセス(以下:16nmFF+)は高性能プロセッサ向けのプロセス「28nm HP」と比較して、同じ消費電力ならば最大で「40%」の性能向上を達成し、同じ性能であれば「50%」少ない消費電力で実現することが、先月TSMCによって米国で開催されたシンポジウムの場において明らかにされたとのこと。

仮にTSMCの発表通りの性能が期待できるならば、28nmから16nmFF+へと製造プロセスを変更する可能性が有力視される米NvidiaのハイエンドGPUなどにおいては、最低でも40%近い性能向上が実現されることになります。

また、実際にはチップ設計の改善による性能向上分も加算されるため、その向上幅はさらに増大する見込みです。

28nm HPプロセスを採用するNvidia製のフラッグシップGPU「GeForce GTX 980」

既に16nmFF+の採用候補としては、米アップルの次世代高性能チップ「A9X」(および「A9」も?)や、中国Huaweiの独自SoC「Kirin 940/950」などが見込まれており、その性能にはより一層の注目が集まります。

なお、TSMCは同シンポジウムの場にて、「IoT」(Internet of Things)分野向けの新たな半導体プロセスとして「16nm FinFET C」「28nm HPC+」を発表。ともにウェアラブルおよびモバイルデバイスなどの、超小型フォームファクタにおける採用が想定されており、非常に優れたワットパフォーマンスを実現するとのことです。

[Cadence via WCCFtech]

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