IntelとMicron、1000倍高速化された次世代メモリ技術「3D Xpoint」発表

米Intelと米Micronは28日(現地時間)、従来的なNANDフラッシュメモリに比べて大幅な高性能化を実現した不揮発性メモリ技術「3D Xpoint」を発表しました。

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新たなメモリ技術のカテゴリとしては25年ぶりとなる3D Xpointですが、Intelによると、既に両社によって生産が開始されているとのことです。

3D Xpointでは、複数の積層メモリセル関連の新技術を導入したことで一般的なNANDフラッシュメモリと比較して「1,000倍」も高速なメモリ性能と「10倍」高いデータ密度に加え、非常に高いデータ保存の信頼性をも実現することが強調されました。

そのほか、Intelは、この3D Xpointベースの不揮発性メモリ製品は、病理学におけるリアルタイムトラッキングや「8K」解像度の “没入型ゲーム” など、高いメモリ性能が求められる分野から導入が開始されることになる見込みとしています。

なお、サンプルの出荷が年内にも開始されることも明らかにされており、いよいよ不揮発性メモリの本格的な普及の幕開けが迫りつつあるようです。

[Intel via The Verge]

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