サムスン、「10nm FinFETプロセス」ベースの次世代SoCを2016年に生産開始か

G for Gamesは15日(現地時間)、韓国サムスンが「10nm FinFETプロセス」で製造される新型SoCの生産を試験的に開始する見込みと伝えています。

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G for Gamesによると、サムスンは英ARM製の省電力CPUコアの次世代モデル「Ananke」をベースにした新型SoCの “サンプルチップ” の生産を2016年内にも開始し、その製造には同社の誇る次世代半導体製造技術となる10nm FinFETプロセスが採用される見込みとのことです。

Anankeおよび新型SoCの詳細についてはほとんど判明していませんが、先日リークされたARMの製品ロードマップには、Anankeは「Cortex A53」および「Cortex A17」を置き換える製品として開発されており、ローエンドからミッドレンジ級の端末への搭載が計画されているほか、「big.LITTLE構造」にも対応していることが明記されていました。

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先日リークされたARMの製品ロードマップ

また、AnankeはCortex A53よりもさらに優れたワットパフォーマンスを実現するとされていますが、既にAnankeの後継コアとなる「Aura」が2017年内にも投入される見込みであることをG for Gamesは指摘しています。

なお、今年7月には、サムスンが10nm FinFETプロセスの大量生産を2016年末頃に開始する予定であることが、同社の半導体製造部門の幹部によって公式に明言されており(過去記事)、実際にAnankeベースのSoCを搭載した端末が市場に登場することになるのは2017年以降のこととなりそうです。

[Weibo via G for Games]

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