DigiTimesは2日(現地時間)、米GLOBALFOUNDRIESが、次世代半導体製造技術「10nm FinFETプロセス」を独自に開発する見込みと伝えています。

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GLOBALFOUNDRIESは「14nm FinFETプロセス」の製造において、韓国サムスンからライセンス供与を受けていることが知られていますが、次世代プロセスとなる10nm FinFET世代においては両者のパートナーシップが継続されない見込みとのことです。

現在、GLOBALFOUNDRIESはコストパフォーマンスの観点からサムスンとの関係性を解消することを検討しており、既に10nm FinFETプロセスの開発を独自に進めているようです。また、その決断の背景には、米IBMの半導体製造部門の買収を完了したことによる技術力および労働力の増強が関係しているものと推察されます。

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なお今回、14nm / 16nm FinFET世代のシェア争いにおいて後れをとっていたとされるTSMCが、その生産歩留まりおよび生産量の向上に伴い、米クアルコムや米AMDからの受注を増やしつつあることも、情報をリークした業界筋によって明らかにされました。

14nm / 16nm FinFETプロセスさえも十分に出回っていない現状で、さらに次世代の半導体プロセスの話をするのも気が早すぎるように思われますが、サムスン、TSMCおよび米インテルの10nm FinFETプロセスを採用する製品は、揃って2017年内に市場に投入されることになる見通しです(過去記事[1][2][3])。

[DigiTimes via Fudzilla]