「Snapdragon 830」、10nm FinFETプロセスで製造か

KitGuruは14日(現地時間)、2017年内の登場が噂される米クアルコム製の次世代SoC「Snapdragon 830」が、「10nm FinFET」プロセスで製造される見込みと伝えています。

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クアルコムの製品ラインナップで2016年のフラッグシップモデルとなる「Snapdragon 820」は、韓国サムスンの「14nm FinFET LPE」プロセスで製造される見通しですが、その後継モデルにおいてはより一層微細化された次世代プロセスが採用されることになるようです。

既に10nm FinFETプロセスについては、サムスン、台湾TSMC、米インテルおよびGLOBALFOUNDRIESによって開発が進められており、各社一斉に2017年より提供を開始することが予測されていますが(過去記事[1][2][3])、今回どの企業の10nm FinFETプロセスがSnapdragon 830に採用されるかについては言及されませんでした。

なお、そもそもSnapdragon 820から直接Snapdragon 830へと移行するのかすらも不明であり、もしかすると「Snapdragon 800」世代のように、「Snapdragon 801」や「Snapdragon 805」のような小規模改良モデルが2016年内に登場することになるのかもしれません。

とはいえ、現時点ではSnapdragon 820を搭載した製品すらも登場しておらず、さらにその後継モデルについて予想するには流石に時期尚早であるように思われます。今回の噂についても話半分に受け止めておいた方が良さそうです。

[Weibo via KitGuru]

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