サムスン、「10nm FinFET S-RAM」の開発成功を発表 ―2017年前半量産へ

韓国サムスンは18日(現地時間)、「10nm FinFET」プロセスで製造された「S-RAM(Static-Random Access Memory)」の開発に成功したことを発表しました。

記事96.1

現在、米インテルや台湾TSMCはそれぞれ「14nm Tri-gate(FinFET)」と「16nm FinFET」プロセスを用いてS-RAMを製造しているため、今回の発表によりサムスンは半導体製造業における強力なライバル2社に大きく先んじる形となりました。

サムスンによると、大量生産は2017年前半にも開始される予定であるほか、同製品の容量は128MBとなり、14nm FinFETプロセス製の従来製品と比較してセル面積をおよそ37.5%も削減しているとのことです。

そのほか、この新型S-RAMの詳細については、来年1月31日から2月4日にかけて開催される半導体に関する国際会議「ISSCC 2016」において発表する予定としています。

記事96.3

また今回、サムスンは「平面構造」を採用する14nm FinFETプロセスベースのNANDフラッシュメモリの開発に成功したことも発表しました。

これは世界で最も微細化されたプロセスを採用する平面型NANDフラッシュメモリとなりますが、一方で既に東芝や米サンディスクなどは、「平面構造を維持したまま15~16nm以下にプロセスを微細化することは、性能向上および経済的な観点から有益ではない」と見切りを付け、「3D構造」を採用するNANDフラッシュメモリの開発に注力することを明らかにしています。

S-RAMと平面型NANDフラッシュメモリという2つの分野において、名実ともに業界最先端の技術を保有することとなったサムスン。今回の発表がしのぎを削るライバル達に与えた衝撃は、はたして微々たるものに過ぎなかったのでしょうか。インテルやTSMCなどの動向を含め、業界全体がどのように動くかは非常に興味深いところです。

[ETNews via G for GamesFudzilla]

コメント投稿