Galaxy S7には、高クロックの特殊な「Snapdragon 820」が搭載される?

Phone Arenaは5日(現地時間)、「Galaxy S7」には、動作周波数を向上させた特別版の「Snapdragon 820」が搭載される見込みと伝えています。

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画像は「Galaxy S6 edge」のもの

精力的な活動を続ける中国の情報筋によると、最大2.2GHzで動作するこの特別なSnapdragon 820は、韓国サムスンに対してのみ独占的に供給されることになる見込みとのことです。

数日前には、Galaxy S7にヒートパイプ式の冷却機構が実装される可能性が伝えられましたが(過去記事)、その採用が検討されるに至った背景には、性能のみならず発熱量も増すこととなったこの専用チップの存在があることを情報筋は指摘しています。

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先日公開された主な次世代SoCのベンチマークスコア比較グラフ(シングルコア性能)

そのほか今回、Geekbenchベンチマークテストにおける同SoCのスコアもリークされています。情報によると、シングルおよびマルチスレッド処理性能において、それぞれ2456と5423を記録したとのことです。

一方で、先日には異なる中国の情報筋を経由して、同ベンチマークテストにおける主だった次世代SoCのスコアを一覧化したグラフが公開されましたが(過去記事[1][2])、そのグラフにはSnapdragon 820がそれぞれ2250と5300点を記録したことが明記されており、今回の情報はその値とほぼ合致するものとなりました。

また、そのグラフには「Exynos 8 Octa 8890」や「Kirin 950」、および「Helio X20」などのライバルSoCが軒並みマルチスレッド処理性能において6400~7400点程度の高スコアを記録していることも明記されていたため、Snapdragon 820のマルチコア性能を憂慮する声も散見されていましたが、今回の情報はその不安を深める材料となりそうです。

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ベンチマークスコア比較グラフ(マルチコア性能)

とはいうものの、Snapdragon 820が非常に優れたシングルコア性能を保有している可能性は非常に高く、またベンチマークスコアが実使用上のパフォーマンスとは必ずしも合致しないことを踏まえると、一概にベンチマークテストの結果だけをもって端末およびSoCの優劣を語ることはできません。

なお、Galaxy S7は、世界最大規模の携帯関連の見本市「MWC 2016」の開幕前日にあたる2月21日に正式発表される見通しです。

[Weibo via Phone Arena]

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