サムスン、2016年第1四半期中に「18nm DRAM」チップの量産を開始か

ETNewsは28日(現地時間)、韓国サムスンが2016年第1四半期(1月〜3月)より、「1X-nano(18nm)」DRAMチップの量産を開始する見通しと伝えています。

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ETNewsによると、18nm DRAMの量産を開始することにより、製造コストの引き下げとそれに伴う収益性の向上が実現されるとのことです。同様に韓国SK Hynixや米Micron Technologyも、サムスンに追随する形で2016年内に1X-nano DRAMの量産を開始する見込みとしています。

なお、DRAMの価格は下落傾向が続いていますが、この傾向は来年以降も継続される模様。半導体電子商取引サイトDRAMeXchangeによると、2015年11月時点における4GB DDR3 DRAMチップの協定価格は1.72ドル(約207円)で、これは今年1月時点と比較して49.1%も低い価格であるとのことです。

サムスンは2014年に「20nm DRAM」の大量生産に世界で初めて着手し、業界および市場内における存在感とシェアを大きく伸ばすことに成功した実績がありますが、最近はモバイル半導体向けプロセスや半導体メモリの分野においてもライバルに一歩先んじており(過去記事[1][2])、半導体製造業における先駆者としての地位はまだまだ揺らぐことはなさそうです。

[ETNews via SamMobile]

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