サムスン、新型256GB「UFS 2.0」メモリを発表 ―データ転送速度は最大850MB/sに

韓国サムスンは25日(現地時間)、ハイエンドモバイル端末向けの新型「Universal Flash Storage 2.0(UFS 2.0)」メモリを発表しました。

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この製品は、ハイエンドスマートフォンなどへの搭載を目的に開発されており、最新のV-NAND技術と特別設計の高性能メモリコントローラーの恩恵により、メモリ容量を先代モデルの倍となる256GBへと増大させつつ、データ転送速度を大幅に向上させることに成功しています。

先代モデルにおけるランダム読み込みおよび書き込み性能は、それぞれ19000IOPSと14000IOPSでしたが、最新モデルにおいてはそれぞれ45000IOPSと40000IOPSとなり、2倍以上の高速化を実現しました。

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プレスリリースによると、シーケンシャル読み込み性能に関しては、一般的なSATA 3.0接続のSSDをも上回る最大850MB/sとなり、シーケンシャル書き込みについても最大260MB/sを実現しているとのことです。

残念ながら今回、この新型UFS 2.0メモリを搭載する製品が登場する時期などについては言及されませんでしたが、今秋頃の登場が予測されている「Galaxy Note5」の後継モデルなどに採用されることになるかもしれません。

[Samsung via Phone Arena]

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