「Snapdragon 830」、2016年内に発表か ―10nm FinFETプロセスで製造

Fudzillaは14日(現地時間)、米クアルコムが、「10nm FinFET」プロセスを採用した次世代SoCを2016年内に発表する見込みと伝えています。

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Fudzillaが “信頼のおける情報筋” とする人物から得た情報によると、10nm FinFETプロセスで製造される「Snapdragon 820」の後継SoCは2016年内に発表され、2017年第1四半期に搭載製品が市場に登場し始めるほか、正式名称は「Snapdragon 830」になる見込みとのことです。

既に、Snapdragon 820よりも高性能なチップとしては「Snapdragon 823」の存在が知られていますが、こちらに関しては引き続き「14nm FinFET」プロセスで製造される模様です。直近の情報によると、Snapdragon 823はCPUおよびGPUともに動作周波数が大きく引き上げられているほか、「MSM8996PRO」という型番が与えられているとのことです。

なお過去の情報では、Snapdragon 830がSnpdragon 820に搭載されるCPUコア「Kryo(クライオ)」の改良版を搭載し、最大で8GBまでのRAMをサポートする可能性も指摘されています(過去記事)。

2017年第1四半期という登場時期を踏まえるに、Snapdragon 830は「Galaxy S7」シリーズや「LG G5」、あるいは「Mi 5」や「HTC 10」の後継モデルなどに、まずは搭載されることになりそうです。

[Fudzilla]

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