「Snapdragon 830」、10nm FinFETプロセス製造のオクタコアSoCとして登場か

MyDriversは27日(現地時間)、米クアルコムの次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 830」のスペックについて、新たな情報がリークされたことを伝えています。

148 Snapdragon 830 concept photo

中国で活躍する情報筋として名を馳せる潘九堂氏によると、「MSM8998(Snapdragon 830)」は「10nm FinFET」プロセスで製造され、計8基の「Kryo(クライオ)」コアから構成されるオクタコアSoCとなるほか、最新の高速データ通信規格である「LTE Cat.16」にも対応する見込みとのことです。

現行フラッグシップモデルの「Snapdragon 820」には4基のKryoコアが搭載されていますが、既に8基のCPUコアを搭載する「Exynos 8 Octa 8890」や「Kirin 955」、10コアSoCの「Helio X20」と同等以上の性能を実現することに成功しています。

148 Kryo and Adreno 530 infographic

また、おそらくSnapdragon 830に採用されるKryoコアは、製造プロセス微細化に加えチップの設計自体にも何らかの改良が施されるものと見られますが、シングルスレッド処理性能や動作周波数を一切損なうことなく、またコア構成などを一切変更することなしにコア数の倍加に成功した際には、目を瞠るような性能向上が実現することとなりそうです。

さらに「Adreno 530」の後継GPUに期待される性能向上幅などを考慮に入れれば、総合的な処理性能はまた1つ上の次元に到達することが期待されます。

なお、年内には “クロックアップ版Snapdragon 820” として「Snapdragon 823」が登場するとも伝えられていますが、早ければ「Galaxy Note6」に搭載される形で、7月中にもお目見えすることになるかもしれません。

[MyDrivers via Phone Arena]

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