サムスン、「10nm FinFET」プロセス製6GB LPDDR4メモリを発表

韓国サムスンは19日(現地時間)、最新の半導体製造プロセス「10nm FinFET」により製造された6GB LPDDR4メモリを発表しました。

82 Samsung latest LPDDR4 memory chip

既にモバイル端末向けの6GB LPDDR4メモリとしては、昨年9月上旬の時点で量産の開始が発表されていますが(過去記事)、同メモリは旧世代の20nmプロセスで製造されていました。

新たに発表された新モデルは、前世代モデルよりもさらに省電力性能および電力効率を向上させることに成功しており、さらなるバッテリーライフの延長に寄与するとのことです。

残念ながら今回、この最新メモリが実際の製品に搭載される時期については明言されませんでしたが、今夏の登場が予測されている「Galaxy Note6」は、その最有力候補の1つと言えます。

なお、同端末は、RGB配列のSuper AMOLEDディスプレイや「Snapdragon 823」、6GBのRAMと256GBのストレージに加え、赤外線式のAF機能や4200mAhのバッテリー、および「USB Type-C」ポートなどを搭載する超高性能端末として、米国市場において8月15日に発売を迎える見込みです(過去記事)。

[The Next Rex via Phone Arena]

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