サムスン、第3世代14nm FinFETプロセス「14-nano LPC」を発表 ―年末までに製品化へ

韓国サムスンは2日(現地時間)、第3世代「14nm FinFET」プロセスを発表し、年内の製品化が予定されていることを明らかにしました。

20 Samsung unveiled 14-nano LPC process

プレスリリースによると、第3世代目となる最新製造プロセスの正式名称は「14-nano LPC(Low Power Compact)」となり、第1世代プロセス「14-nano LPE(Lower Power Early)」はもちろん、第2世代プロセス「14-nano LPP(Low Power Plus)」よりも、さらに少ない消費電力と低い製造コストを実現するとのことです。

しかしながら今回、14-nano LPCプロセスの電力効率などについては明らかにされておらず、14-nano LPPプロセスと比較した際に、どれほどパフォーマンスに変化が見られるのかについては不明です。

また、サムスンは14nm FinFETプロセスがかつての28nmプロセスと同様に非常に息の長い技術となることを指摘し、仮に今後「10nm FinFET」や「7nm FinFET」プロセスが実用化されたとしても、コストパフォーマンスに優れる14nm FinFETプロセスは、多くの企業によって採用され続けることになるとの見通しを明らかにしました。

なお、14-nano LPCは既に開発が完了を迎えつつあり、年末までには実際の同プロセスで製造されたチップが市場に登場する予定とのことです。

[サムスン via SamMobile]

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