「Galaxy S8」、8GBのRAMを搭載か ―ストレージにはUFS 2.1メモリ?

MySmartPriceは25日(現地時間)、韓国サムスンの次世代フラッグシップスマートフォン「Galaxy S8」のスペックに関する情報が、新たにリークされたことを伝えています。

MySmartPriceによると、「Galaxy S8」には、「10nm FinFET」プロセスで製造された8GBのRAMと「UFS 2.1」規格に準拠したストレージメモリが採用される見込みと伝えています。

現時点までに、8GBのRAMとUFS2.1規格ストレージを採用しているスマートフォンは、ただの1台たりとも発売されていません。CES 2017やMWC 2017などにおいて発表される可能性はありますが、仮に今回の噂が事実であれば、Galaxy S8は2つの世界初を同時に達成することとなります。

また、直近の情報によると、6.0インチディスプレイを搭載する新型ファブレット「Galaxy S8 Plus」が、来年4月頃にGalaxy S8とともに発表される見込みとのこと(過去記事)。

なお、先日にはGalaxy S8シリーズの機密情報に関する管理体制が強化されたとも報じられており(過去記事)、これまで以上にリーク情報に対する慎重な判断が求められることとなりそうです。

[MySmartPrice via Phone Arena]

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1 件のコメント

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  1. No Name 2016年12月27日 02:21 No.26218 返信

    スマートフォンで8GBなんて何に使うんだろうな
    PCと違って画面の大きさ的にマルチタスクっつても限界があるだろうし

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