韓国サムスンは24日(現地時間)、半導体製造プロセスに関する最新のロードマップを発表しました。

以下は、今回新たに発表された半導体製造プロセスの最新ロードマップ。

8LPP(8nm Low Power Plus)

「EUV露光」技術の導入以前において、最も微細化された製造プロセスとなり、、性能およびゲート密度の双方で「10LPP(10nm Low Power Plus)」を上回るとされています。

7LPP(7nm Low Power Plus)

EUV露光技術が初めて導入されており、以降の製造プロセスの礎になるとのこと。

6LPP(6nm Low Power Plus)

「7LPP」をベースとする製造プロセスであり、「Smart Scaling solutions」と呼ばれる新技術を初めて導入。7LPPを上回る微細化と省電力性が達成される模様です。

5LPP(5nm Low Power Plus)

「FinFET」構造を採用する中で、最も微細化された製造プロセスに。次世代プロセスの「4LPP」の技術を一部導入することで、さらなる微細化と省電力化の実現を図るとされています。

4LPP(7nm Low Power Plus)

「MBCFET」構造と呼ばれる次世代のトランジスタ技術を採用する初の製造プロセス。性能と微細化可能な限界との両方において、FinFETプロセスを上回るとのこと。

 

残念ながら今回、各プロセスの登場時期や性能などについては明らかにされませんでしたが、今月初旬には、来春頃までに「7nm」プロセスの量産を開始する見通しと報じられています(過去記事)。

なお、台湾TSMCについては、2019年に「5nm」プロセス、2022年には「3nm」プロセスを市場に投入する計画を明らかにしており(過去記事)、おそらくはサムスンも同様のスケジュールで動くこととなりそうです。

[サムスン via GSMArena]