Snapdragon搭載版「Galaxy S8」シリーズ、内蔵ストレージはUFS 2.0とUFS 2.1メモリが混在

Phone Arenaは8日(現地時間)、一部の「Snapdragon 835」を搭載する「Galaxy S8」および「Galaxy S8+」に、「UFS 2.0」規格のストレージが搭載されていることが判明したと伝えています。

当初公表されていたGalaxy S8シリーズの仕様表には、ストレージにUFS 2.1規格に準拠するメモリを採用していることが明記されていましたが、新たにXDA-Developersのメンバーが実施した調査によると、実際には一部端末に、UFS 2.0メモリが搭載されていることが判明したとのこと。

また、密かに更新された仕様表内においても、ストレージの項目からUFSという表記は消え、 “May differ by country and carrier(国またはキャリアによって変わるかもしれません)” とする注釈が追加された模様です。

UFS 2.0とUFS 2.1とを搭載する端末との間で、体感上におけるパフォーマンスの差がどれほど生じるかは分かりませんが、少なくとも同一機種の間に2つの異なる規格が混在している点は間違いありません。

なお、UFS 2.0メモリの搭載が確認されたのは、Snapdragon 835搭載版のGalaxy S8およびGalaxy S8+のみとのこと。

国内にもSnapdragon搭載モデルが投入される見通しですが、はたして同様にUFS 2.0を搭載する端末が流通することになるのでしょうか。続報に要注目です。

[XDA-Developers via Phone Arena]

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