韓国サムスンは11日(現地時間)、最新の半導体製造プロセス「11nm FinFET」を発表しました。

新たに発表された11nm FinFET(11LPP)プロセスは、消費電力が同じならば、現行の「14nm FinFET(14LPP)」プロセス比で最大15%の性能向上と、最大10%のダイサイズ削減を実現するとされています。

また、最新の「10nm FinFET」が、フラッグシップ製品向けの製造プロセスであるのに対し、11nm FinFETは、ミッドレンジまたはハイエンド製品をその主な対象に想定しているとのこと。

さらには、11LPPの量産は、2018年上半期中に開始されることも明らかにされました。

そのほか、サムスンは今回、EUV露光技術を用いた「7nm(7LPP)」プロセスの開発が計画通りに進行していることを強調。2018年下半期中に、初期生産を開始することを予告しました。

なお、今回発表された内容も反映された最新のロードマップが、今月15日に東京で開催される「Samsung Foundry Forum Japan」にて公開されるとのことです。

[サムスン via Phone Arena]