米クアルコムは28日（現地時間）、2017年1月初旬に米ラスベガスにて開幕を迎えるCES 2017において、同社の最新フラッグシップSoC「Snapdragon 835」の詳細を発表することを予告しました。

先月中旬、クアルコムは「10nm FinFET」プロセスで製造される同社初のSoC製品として「Snapdragon 835」を発表しましたが、あくまでも開発発表が行われたに過ぎず、その詳細な仕様などについてはほとんど明らかにされませんでした（過去記事）。

唯一明らかにされたことと言えば、「Quick Charge 4.0」と呼ばれる次世代の急速充電技術が実装されていることや、採用している韓国サムスン最新プロセスが、同社の「14nm FinFET」プロセス比で、最大30%の面積効率の向上のほか、27%の性能向上または最大40%の消費電力削減を実現していることくらいなものでした。

一方で、既にSnapdragon 835と思しきプロセッサのベンチマークスコアがGeekbenchのデータベース上に発見されています（過去記事）。

記録されていたスコアは非常に残念な数字でしたが、実際には上述の情報からも、Snapdragon 835が現行モデルから明確な性能向上を果たしていることは間違いありません。クアルコムによる公式発表に要注目です。

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