ZDNet Koreaは24日(現地時間)、韓国サムスンLSI事業部の幹部であるホ・グク氏によって、2018年の早い時期に「7nm」プロセスの量産を開始する予定であることが明らかにされたと報じています。

ホ氏が明かしたところによると、7nmプロセスの量産を可能にするべく「EUV(極端紫外線)露光」装置を生産設備に導入し、2018年の早い時期に量産を開始する予定とのことです。

なお、EUV露光技術は、非常に波長の短い紫外線を用いて半導体の基板上に微細な回路を転写する技術であり、7nmよりも半導体プロセスを微細化するための次世代技術として多くの期待が寄せられています。

また既に、半導体製造におけるライバルでもある台湾TSMCも、2017年第2四半期中にも7nmプロセスのリスク生産を開始する見通しですが、同社はEUV露光技術ではなく従来技術を用いて同プロセスの製造を行う模様。

“2018年の早い時期” という表現が具体的にいつ頃を指しているのかは不明ですが、あるいは来春頃の発表が予測されている「Galaxy S9」シリーズに、7nmプロセスで製造された次世代SoCが採用されることになるかもしれません。

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