IT之家は5日(現地時間)、米クアルコムの次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 845」は、台湾TSMCの7nmプロセスを用いて製造される見込みと伝えています。

Snapdragon 845は、「Snapdragon 835」と同様に韓国サムスンとの協業の下に開発が進められ、「Galaxy S9」シリーズにも採用される見通しとされています。

また、製造にはTSMCが開発を進める7nmプロセスを採用する見込みとされていますが、TMSCによると、同社の7nmプロセスは、現行の「10nm FinFET」プロセス比で最大25~35%の性能向上を実現する予定であるとのことです。

なお、既に同社は7nmプロセスの試験生産を開始していますが、韓国サムスンもTSMCと同様に、2018年前半にも同プロセスの量産を開始する見通し(過去記事[1][2])。

仮に今回の情報が事実であったとするならば、10nm FinFETプロセスの “栄華” は、とても短いものとなってしまいそうです。

[IT之家 via GizChina via AndroidHeadlines]